Технологии и применение Flash-памяти в современных накопителях

• Номер работы:
  1402865
• Раздел:
  Все работы   →   Рефераты и реферативные задания   →   Информационные технологии
• Год добавления:
  03.11.2024 г.
• Объем работы:
  29 стр.
• Содержание:
  Содержание
  
  ВВЕДЕНИЕ 3
  1. Флэш-память и особенности ее применения 5
  1.1. Понятие флэш-память 5
  1.2. Факторы, влияющие на скорость чтения и записи данных……...…...............7
  2. Анализ современных носителей информации 11
  2.1. Сравнение основных логических элементов флэш-памяти 11
  2.2. Накопители SATA и PCI-Express 13
  3. Развитие технологий и применение флэш-памяти 17
  3.1. Особенности и ключевые технологии флэш-памяти 17
  3.2. Проблемы и перспективы развития флеш-памяти 21
  ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
  СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 29
  
  
• Выдержка из работы:
  Некоторые тезисы из работы по теме Технологии и применение Flash-памяти в современных накопителях
  Введение
  
  На сегодняшний день ни одна крупномасштабная разработка в области информационных систем и технологий не обходится без использования баз данных. Полноценные информационные системы нередко используют полуструктурированные или неструктурированные данные. Они присутствуют в геоинформационных, транспортных, любых корпоративных системах и др.
  ……………………………………………………..
  
  1. Флэш-память и особенности ее применения
  1.1. Понятие флэш-память
  
  История развития флэш-памяти короче по сравнению с другими компьютерными технологиями. Но технология флэш-памяти стремительно развивается в ответ на огромный и быстро меняющийся рынок хранения данных. Она возникла в конце 1960-х годов, а концепция была выдвинута в начале 1980-х годов. Технология достигла зрелости за последние десятилетия развития. Давайте рассмотрим великолепную историю развития флэш-памяти.
  В 1967 году Давон Канг и Саймон Сзе вместе изобрели MOSFET, названный флэш-памятью, в Bell Labs, который является основой EEPROM и EPROM.
  Flash-память – тип энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Принцип работы Flash-памяти основан на изменении электрического заряда в выделенной области полупроводниковой структуры, которая называется плавающим затвором.
  
  Рис. 1. Устройство флэш-памяти
  
  Ячейка флэш-памяти хранения данных представляет собой транзистор с плавающим затвором. Этот затвор расположен над затворным диэлектриком и между управляющим затвором и p-слоем. Плавающий затвор, который должен поддерживать заряд, изолирован от всех областей транзистора и отрицательный заряд, хранящийся в нем, будет оставаться здесь в течение длительного времени [3].
  Плавающий затвор транзистора расположен глубоко в диэлектрическом слое, что не позволяет электронам с низкой энергией попадать на него. Управляющий затвор расположен над ним. При подаче на него напряжения электроны приобретают высокую энергию и проходят через диэлектрик из подложки, заряжая плавающий затвор так, что его заряд становится отрицательным вместо нейтрального. Электроны, попавшие на плавающий затвор, могут оставаться там много лет, и их количество не уменьшится, если на транзистор не подавать напряжение. Заряд и разряд плавающего затвора соответствуют состоянию «0» и «1».
  ……………………………………………………..
  
  
  3. Развитие технологий и применение флэш-памяти
  3.1. Особенности и ключевые технологии флэш-памяти
  
  В отличие от общего принципа, согласно которому более совершенная технология процесса приводит к более высокой производительности для других полупроводниковых устройств, достижения в технологии флэш-памяти NAND, такие как от SLC до текущего основного TLC/QLC и даже будущего PLC, в первую очередь приводят к улучшению емкости, в то время как достижения в технологии процесса оказывают отрицательное влияние на производительность в аспектах, таких как время удержания и выносливость записи. Это связано с тем, что флэш-память основана на транзисторах с плавающим затвором, а скорость туннелирования электронов увеличивается по мере того, как оксидный слой становится тоньше. Во время непрерывных операций записи и стирания изолирующий слой изнашивается [2].
  В современных типах флэш-памяти точный контроль электронов в плавающем затворе имеет важное значение, но старение изолирующего слоя может легко поставить под угрозу этот контроль. Кроме того, точность контроля электронов ниже в современных типах по сравнению со старыми типами, такими как SLC, что приводит к ошибкам в холодных данных. В современных процессах изготовления меньшие транзисторы и более тонкие изоляционные материалы приводят к увеличенному электрическому износу, что приводит к потере полупроводниковых свойств после пробоя. Это сокращает срок службы флэш-памяти [4].
  3D-укладка
  
  ……………………………………………………..
  
  Список использованной литературы
  
  1. Кузьмин А. В. Flash-память и другие современные носители информации и другие современные носители информации) [Электронный ресурс]. URL: http://free-war.net/books/176334-kuzmin-a-v-flash-pamyat-i-drugie-sovremennye-nositeli-informacii.html (дата обращения: 01.11.2024).
  2. Павлюченко П. «Что такое плоть-память?» Принцип работы и устройство плоти-памяти». (Что такое флеш-память? Принцип работы и структура Flash-памяти) [Электронная ресурс]: интернет-портал. URL: https://www.syl.ru/article/182896/new_chto-takoe-flesh-pamyatprintsip-rabotyi-i-ustroystvo-flesh-pamyati (дата обращения: 01.11.2024).
  3. Принцип работы и устройство флеш-памяти [Электронный ресурс]. URL: https:/hobbyits.com/princip-raboty-i-ustrojstvo-flesh-pamyati/ (Дата обращения: 01.11.2024)
  ……………………………………………………..