Нанокристаллические материалы на основе Ga2O3 для газовых сенсоров(композитов SnO2/Ga2O3) (2 глава)

• Номер работы:
  647126
• Раздел:
  Все работы   →   Части дипломной   →   Материаловедение
• Год добавления:
  29.10.2020 г.
• Объем работы:
  40 стр.
• Содержание:
  2. Обзор литературы
  2.1 Общая характеристика Ga2O3
  2.1.1 Кристаллическая структура Ga2O3
  2.1.2 Структура поверхности Ga2O3 и точечные дефекты
  2.1.3 Электрофизические свойства Ga2O3
  2.2 Модификация поверхности как способ управления сенсорными свойствами
  2.2.1 Принципы работы полупроводниковых газовых сенсоров резистивного типа
  2.2.2 Подходы к выбору модификаторов
  2.2.3 Сенсорные свойства нанокомпозитов на основе Ga2O3/SnO2 Сенсорные свойства Ga2O3 в условиях фотоактивации
  2.3 Методы синтеза нанокомпозитов на основе Ga2O3/SnO2
  2.3.1 Синтез нанокристаллического Ga2O3 и SnO2
  2.3.2 Модификация добавками
  2.4 Заключение
• Выдержка из работы:
  Некоторые тезисы из работы по теме Нанокристаллические материалы на основе Ga2O3 для газовых сенсоров(композитов SnO2/Ga2O3) (2 глава)
  2.2 Модификация поверхности как способ управления сенсорными свойствами
  
  2.2.1 Принципы работы полупроводниковых газовых сенсоров резистивного типа
  
  На данный момент оксид галлия набирает популярность в полупроводниковой электронике. На его основе разрабатываются такие приборы как солнечно слепые детекторы, элементы гибкой электроники и транзисторы. Исследовано влияние водорода на электрофизически е и газочувствительные свойства полиморфной структуры ?-Электрофизические свойства Ga2O3 /?- Ga2O3.
  Структуры были сформированы на профилированной сапфировой подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии, в плоскости перпендикулярной подложке. Данные структуры проявляют чувствительность к водороду, которая начинается уже при комнатной температуре. Изменение тока через структуру под влиянием водорода зависит от температуры нагрева структур, величины и знака приложенного напряжения и носит обратимый характер.
  В работе было показано, что альфа фаза оксида галлия демонстрирует диэлектрические свойства, и ее контакт с платиной не проявляет чувствительности к воздействию водородом. По сути, при воздействии водорода рассматривается структура Pt/? - Ga2O3/Pt, т.е. структуру металл/полупроводник/металл (М/П/М). ВАХ М/П/М структур при образовании на границе металла и полупроводника слоя Шоттки хорошо описывается моделью двойных диодов с барьером Шоттки, включенных на встречу друг к другу.
  Данные структуры проявляют высокую селективность при малых напряжениях смешения, чувствительность к изменению влажности проявляется только при комнатной температуре.
  ................